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interpret-chromatogram

pjt222
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디자인design

정보

이 스킬은 시스템 적합성 검증, 머무름 시간/스펙트럼 매칭을 통한 피크 식별, 그리고 적분 수행을 통해 GC/HPLC 크로마토그램을 해석합니다. 크로마토그래피 성능 지표를 계산하고 신뢰할 수 있는 정량 분석을 위한 피크 품질을 평가합니다. 분석 데이터 검토, 이상 현상 해결, 또는 크로마토그램 해석에 관한 분석가 교육에 활용하세요.

빠른 설치

Claude Code

추천
기본
npx skills add pjt222/agent-almanac -a claude-code
플러그인 명령대체
/plugin add https://github.com/pjt222/agent-almanac
Git 클론대체
git clone https://github.com/pjt222/agent-almanac.git ~/.claude/skills/interpret-chromatogram

Claude Code에서 이 명령을 복사하여 붙여넣어 스킬을 설치하세요

문서

解層析圖

系統化解 GC 與 HPLC 層析圖,涵系統適用性之驗、峰之辨、積分、層析參數之算、峰質之評,以得可信之質量分析結果。

用時

  • 報分析結果前,審層析數據
  • 系統適用性試驗通過,乃啟樣品序列
  • 以保留時間或光譜辨未知峰,或證已知分析物
  • 排查異峰、基線異常、積分偽影
  • 訓分析員於層析數據解讀

必要

  • 層析圖數據:具時間軸與檢測器響應軸之數位或印本
  • 參考標準數據:同法條件下,已知分析物之保留時間與響應
  • 方法參數:色譜柱、流動相/載氣、溫度/梯度程式、檢測器設定

可選

  • 光譜數據:UV-Vis 光譜(DAD)、質譜(MS)、或其他可證峰之光譜
  • 往日層析圖:同法之歷史數據,以比趨勢
  • 系統適用性準則:方法或法規之接受限
  • 樣品製備細節:稀釋倍數、萃取回收率、內標濃度

第一步:驗系統適用性

解樣品數據之前,確層析系統之運行於規範內。

參數典型規範計算
保留時間 RSD<= 1.0%n >= 5 次注射之 tR 之 RSD
峰面積 RSD<= 2.0%(含量)、<= 5.0%(雜質)n >= 5 次注射之面積之 RSD
拖尾因子 (T)0.8-2.0 (USP)、理想 0.9-1.2T = W0.05 / (2 * f),W0.05 乃 5% 高之寬,f 乃前半寬
分離度 (Rs)>= 1.5(基線)、>= 2.0(法規)Rs = 2(tR2 - tR1) / (w1 + w2)
理論塔板 (N)依色譜柱規範(如 >= 2000)N = 16(tR / w)^2 或 N = 5.54(tR / w0.5)^2
容量因子 (k')主分析物 2.0-10.0k' = (tR - t0) / t0
  1. 尋系統適用性之注射(常為序列起首 5-6 次參考標準之重注)
  2. 依上表算諸參數
  3. 以算得之值比方法之接受準則
  4. 若某參數敗,則系統不適用——問題未解,勿進樣品解讀
  5. 諸系統適用性結果記於批次紀錄

**得:**諸系統適用性參數於規範內,證系統可用於此目的。

**敗則:**若保留時間 RSD 敗,察溫度不穩、流動相製備訛誤、或色譜柱老化。若拖尾因子敗,檢 GC 之進樣口襯管或 HPLC 之色譜柱篩板。若分離度敗,以專用試驗混合物察色譜柱性能,必要時更換。

第二步:辨峰

  1. 比每峰之保留時間 (tR) 於參考標準層析圖
    • 可接受之 tR 匹配:於參考 tR 之 +/- 2% 內(短運行則 +/- 0.1 min)
  2. 若辨識不明,以共注(加標)之法:參考標準加入樣品再注。目標峰當增而不展不肩
  3. HPLC 備 DAD 者:比每峰之 UV-Vis 光譜於光譜庫
    • 光譜匹配指數 >= 990(滿 1000)乃可正識
    • 察峰內光譜純度(前、頂、尾光譜當疊合)
  4. 系統備 MS 者:以參考光譜證分子離子 (m/z) 與關鍵碎片離子
  5. 標不能辨之峰——以保留時間與相對響應報為「未知」

**得:**諸目標分析物以 tR 匹配辨之,有光譜則證之。未知峰以 tR 與面積標之。

**敗則:**若諸保留時間齊偏,則系統之變已生(色譜柱老化、溫度漂移、流動相訛誤)。重注參考標準以立當前 tR,再重評。

第三步:行峰積分

  1. 擇積分模式:
    • 以數據系統預設自動積分為始
    • 唯自動積分明誤置基線或峰界時乃手動調整
  2. 設積分參數:
    • 基線檢測靈敏度(斜率靈敏度/閾值)
    • 剔噪之最小峰面積或峰高
    • 峰寬參數配最窄預期峰
  3. 驗基線之置:
    • 基線當於真層析基線連每峰之始終
    • 重疊峰者,依方法用谷對谷或垂直落下
    • 梯度方法者,基線或升——為升基線上之峰用切線撇除或指數撇除
  4. 察積分訛誤:
    • 當一而分作二之裂峰
    • 當分而併入主峰之肩峰
    • 積為峰之噪尖
    • 貫峰之基線(負峰裁截)
  5. 記終積分參數及手動調整,連同理由,入審計軌跡

**得:**諸目標峰積分基線置正確,無偽影,諸手動調整與理由有記。

**敗則:**若自動積分器屢誤某峰形,為彼保留時間窗建具自訂參數之定時事件積分法。勿為得所欲結果而手動調整——調整須有科學理由。

第四步:算層析參數

為諸報告峰算下者:

  1. 分離度 (Rs) 於相鄰峰:
    • Rs = 2(tR2 - tR1) / (w1 + w2)
    • Rs >= 1.5 示基線分離;Rs >= 2.0 予常規用之裕度
  2. 拖尾因子 (T) 於 5% 峰高:
    • T = W0.05 / (2f)
    • T = 1.0 乃完全對稱;T > 2.0 示顯著拖尾
  3. 理論塔板 (N)
    • 以基線寬:N = 16(tR / w)^2;以半高寬:N = 5.54(tR / w0.5)^2
    • N 高則柱效佳
  4. 容量因子 (k')
    • k' = (tR - t0) / t0,t0 乃死時間(空體積/流速)
    • 理想範圍:2-10,分離佳而運行時間合
  5. 選擇性因子 (alpha) 於關鍵對:
    • alpha = k'2 / k'1
    • alpha > 1.05 常為足分之所需
  6. 諸分析物列表,比方法規範

**得:**諸層析參數算、列、比接受準則。關鍵對之分離度與塔板數有記。

**敗則:**若算得塔板顯著低於色譜柱規範,或色譜柱已劣——以新標準試並比歷史數據。若參數於一序列內漂移,察儀器穩定性。

第五步:評峰質

  1. 對稱:峰當為高斯或近高斯。顯著前伸 (T < 0.8) 暗色譜柱過載;拖尾 (T > 1.5) 暗二級作用或死體積
  2. 基線分離:量化之工,關鍵對須基線分離。若峰間谷未返基線,記谷之百分比並評對準確度之影響
  3. 峰寬一致:峰顯著寬於預期者(較標準),或示柱上降解、柱外帶展、或注射問題
  4. 光譜純度(DAD/MS):若純度指數示峰內光譜不均,疑共流出雜質。或調方法以得更佳分離
  5. 負峰或基線擾動:UV 之負峰示樣品溶劑於檢測波長比流動相吸收更多——溶劑前緣為常,餘處為異
  6. 幽峰:空白注射中現之峰示殘留、流動相污染、或柱流失。報樣品結果前辨其源
  7. 總結層析品質,記報告結果之限制

**得:**諸目標分析物之峰質已評;諸異常(拖尾、共流出、幽峰)記其對數據質之潛在影響。

**敗則:**若有顯著品質問題(光譜純度證共流出,分析物保留時間處現幽峰),則數據或不可報。標記之,察根因,糾正後重運行。

  • 系統適用性參數已算並於規範內
  • 諸目標分析物以 tR 辨之(配以光譜證之)
  • 未知峰以 tR 與面積標之
  • 積分基線置正確;手動調整有記
  • 諸峰之分離度、拖尾、塔板、容量因子已算
  • 峰質已評——無影響定量之未解共流出
  • 經空白注射評幽峰與殘留
  • 結果列表並比方法接受準則

  • 納自動積分而不審:數據系統或誤置基線,尤於肩峰、鄰大峰之小峰、梯度基線。每層析圖須目視審之
  • 混 tR 偏移與新峰:齊偏(諸峰共動)示系統之變,非新化合。辨識之前重注標準以重校準
  • 報噪下之峰:信噪比下於 3(檢出)或 10(定量)之峰不當辨不當量。對微量峰明算 S/N
  • 忽溶劑前緣:空體積峰非分析物。確 t0 正識並除於分析物之報
  • 手動積分以得目標結果:調整積分以令結果合規乃數據造假。諸積分之改須有科學理由並審計
  • 略光譜純度之察:潔淨之峰或藏共流出雜質。DAD 或 MS 可得時,恆察峰純度

  • develop-gc-method — 為此層析圖所出 GC 技術之方法開發
  • develop-hplc-method — 為此層析圖所出 HPLC 技術之方法開發
  • troubleshoot-separation — 診斷層析圖解讀時所辨之問
  • validate-analytical-method — 生此層析數據之方法之正式驗證
  • interpret-mass-spectrum — 為 GC-MS 與 LC-MS 峰之證,詳解 MS 數據

GitHub 저장소

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경로: i18n/wenyan/skills/interpret-chromatogram
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